NVBG030N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET

安森美NVBG030N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET是一款1200V M3S平面EliteSiC MOSFET，优化用于快速开关应用。该MOSFET具有107nC超低栅极电荷、106pF低电容高速开关特性以及29mΩ典型漏源导通电阻（V_GS=18V时）。NVBG030N120M3S SIC MOSFET由18V栅极驱动器驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动器配合使用。该MOSFET已通过100%雪崩测试，符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。NVBG030N120M3S MOSFET采用D2PAK-7L封装，可实现低公共源电感，不含铅2LI（二级互连），符合RoHS指令（7a豁免）。典型应用包括车载充电器和直流/直流转换器（用于EV/HEV）。