650V EliteSiC (碳化硅) MOSFET

安森美(onsemi)650V EliteSiC(碳化硅)MOSFET采用的技术与硅器件相比,可提供出色的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。因此,系统优势包括最高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。安森美(onsemi)TOLL封装具有开尔文源极配置和较低的寄生源极电感,可提高散热性能并具有出色的开关性能。TOLL提供1级潮湿敏感度 (MSL 1)。

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名
onsemi 碳化硅MOSFET M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL 1,983库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 170 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL 1,970库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 170 C 139 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L INDUSTRIAL

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L Auto

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L Auto

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L INDUSTRIAL

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC