CGHV27030S

Name: MACOM CGHV27030S
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV27030S
Price: 625.18 RMB
Availability: OutOfStock

Mouser编号：

941-CGHV27030S

制造商编号：

CGHV27030S

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

数据表:

CGHV27030S 数据表 (PDF)

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封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥706.4534	¥706.45
	¥558.6268	¥5,586.27
	¥469.4359	¥46,943.59
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥469.4359	¥117,358.98

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-12
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	3.6 A
Vgs th-栅源极阈值电压:	- 3 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	12 W
商标:	MACOM
配置:	Single
增益:	21 dB
最大漏极/栅极电压:	50 V
最大工作频率:	2.7 GHz
最小工作频率:	0 Hz
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	30 W
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 10 V, 2 V
单位重量:	282.130 mg

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KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

CGHV27030S 氮化镓高电子迁移率晶体管

Wolfspeed CGHV27030S 30W 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有宽带宽能力以及高效率和高增益。 CGHV27030S 在 DC-6.0GHz 下工作，具有 21dB 的增益、-36dBc 的 ACLR，5W PAVE 时的效率为 32%。该晶体管可由 28V 或 50V 电源轨供电。 CGHV27030S 还可应用高度的 ADP 和 DPD 校正。 CGHV27030S 氮化镓高电子迁移率晶体管非常适合用于 700-960MHz、1200-1400MHz、1800-2200MHz、2500-2700MHz 和 3300-3700MHz 电信应用（采用 28V 和 50V 供电电压）。该器件还非常适合用于 20-2500MHz 战术通信应用、L 波段雷达和 S 波段雷达。
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