RGW 650V场终止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。RGW IGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。ROHM RGW 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。

结果: 42
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
数据表
448库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 72 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
数据表
358库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 81 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
数据表
840库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 81 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
数据表
449库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 81 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
数据表
440库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 30 A 67 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
数据表
446库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 72 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inver
数据表
2,000库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si TO-263-3 SMD/SMT Single 650 V 1.9 V 30 V 48 A 144 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This produ
数据表
1,990库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si TO-263-3 SMD/SMT Single 650 V 1.9 V 30 V 48 A 144 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inver
数据表
2,000库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si TO-263-3 SMD/SMT Single 650 V 1.9 V 30 V 57 A 165 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This produ
数据表
2,000库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si TO-263-3 SMD/SMT Single 650 V 1.9 V 30 V 57 A 165 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inver
数据表
1,500库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si TO-263-3 SMD/SMT Single 650 V 1.9 V 30 V 67 A 187 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This produ
数据表
1,990库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si TO-263-3 SMD/SMT Single 650 V 1.9 V 30 V 67 A 187 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inver
数据表
1,648库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si TO-263-3 SMD/SMT Single 650 V 1.9 V 30 V 83 A 227 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This produ
数据表
1,979库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si TO-263-3 SMD/SMT Single 650 V 1.9 V 30 V 83 A 227 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 50A TRNCH
数据表
830库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 85 A 277 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 30A TRNCH
数据表
1,013库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 58 A 194 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 30A TRNCH
数据表
1,153库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 58 A 194 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 40A TRNCH
数据表
2,388库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 71 A 202 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO3P 650V 16A TRNCH
数据表
895库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 27 A 61 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
数据表
448库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 30 A 67 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
数据表
产品评论
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 30A TRNCH
数据表
2,394库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 51 A 156 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 30A TRNCH
数据表
2,394库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 51 A 156 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 60A TRNCH
数据表
2,387库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 104 A 288 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
数据表
产品评论
400库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube