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TP65H050G4YS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4YS
Price: 71.52 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

227-TP65H050G4YS

制造商编号：

TP65H050G4YS

制造商：

Renesas Electronics

说明：

GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

数据表:

TP65H050G4YS 数据表

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	¥80.8176	¥80.82
	¥55.5847	¥555.85
	¥36.9736	¥3,697.36
	¥36.8945	¥44,273.40

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	35 A
Rds On-漏源导通电阻:	60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.8 V
Qg-栅极电荷:	16 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	132 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperGaN
商标:	Renesas Electronics
配置:	Cascode
下降时间:	8 ns
封装:	Tube
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	5 ns
系列:	Gen IV SuperGaN
工厂包装数量:	1200
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	GaN HEMT
典型关闭延迟时间:	40 ns
典型接通延迟时间:	40 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN^® FET是一款50mΩ氮化镓 (GaN) 常关器件，采用4引线TO-247封装。这款Gen IV SuperGaN FET使用Gen IV平台，支持采用先进的外延和专利设计技术简化可制造性。TP65H050G4YS 650 V FET 将最先进的高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 相结合，以实现卓越的可靠性和性能。此 SuperGaN FET 通过降低栅极充电荷、输出电容、交叉损失和反向恢复电荷，使效率优于硅。典型应用包括数据通信、广泛的工业、光伏逆变器和伺服电机。