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SIA906EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA906EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA906EDJ-GE3
Price: 6.66 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

781-SIA906EDJ-GE3

制造商编号：

SIA906EDJ-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

数据表:

SIA906EDJ-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

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¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥7.5258	¥7.53
	¥4.6217	¥46.22
	¥3.164	¥316.40
	¥2.486	¥1,243.00
	¥2.2035	¥2,203.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.8758	¥5,627.40
	¥1.6724	¥10,034.40
	¥1.5707	¥14,136.30

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SC-70-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	4.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	46 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	600 mV
Qg-栅极电荷:	950 pC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	7.8 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET, PowerPAK
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Dual
下降时间:	12 ns
正向跨导 - 最小值:	14 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	18 ns
系列:	SIA
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	12 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
零件号别名:	SIA906EDJ-GE3
单位重量:	28 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

SIA906EDJ-T1-GE3 数据表

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Vishay Siliconix SiA936EDJ 双组件 N 沟道 MOSFET

Vishay Siliconix SiA936EDJ 双 N 沟道 MOSFET 被设计用于在便携式电子设备中节约空间、提高功率效率，在 4.5V 和 2.5V 栅极驱动下具有 20V(12V VGS 和 8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为 2mm x 2mm。SiA936EDJ 适用于负载和充电器开关，直流-直流转换器、H 桥和电池保护，实现智能手机、平板电脑、移动计算设备、非植入式便携医疗产品、及带有小型无刷直流电机的手持式消费电子设备中的功率管理。对于这些应用，SiA936EDJ 提供了 34mO (4.5V)、37mO (3.7V)和 45mO (2.5V)的极低导通电阻、及 2000V 的内置 ESD 保护。在 2.5V 下其导通电阻比最接近的 8V VGS 竞争器件低 11.7%——同时仍有较高（G-S）防护频带——比 12V VGS 器件低 15.1%。该器件的低工业导通电阻使设计人员能在其电路中达到较低电压降，并促进功率的更有效使用，实现更长的电池运行时间。双组件的 SiA936EDJ 在一个紧凑封装内集成两个 MOSFET，减少了总元件数量，节约了宝贵的 PCB 空间。Vishay Siliconix SiA936EDJ 双组件 N 沟道 MOSFET 按照 JEDEC JS709A 规定 100% 通过 Rg 测试并且不含卤素，还符合 RoHS 2011/65/EU 指令。
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