结果: 40
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
IXYS MOSFET TO268 1.5KV 4A N-CH HIVOLT
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.5 Amps 1000V
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
: 75

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 40 W Reel, Cut Tape

IXYS MOSFET 24 Amps 1000V
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 267 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 2 A 7 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 13 Amps 800V
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 800 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 700 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 350 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 300
倍数： 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 40 A 85 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 5 Amps 1000V 2 Rds
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 5 A 2 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 67 Amps 100V 0.025 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 67 A 25 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 20 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 33 Amps 500V 0.17 Rds
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 300

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 33 A 170 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 416 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
数据表
无库存交货期 38 周
最低： 300
倍数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.5 A 11 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 20 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS IXTQ3N150M
IXYS MOSFET TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1.5 kV 1.83 A 7.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 73 W Tube