EPC2302

EPC
65-EPC2302
EPC2302

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

寿命周期:
Mouser 的新产品
ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 2,565

库存:
2,565
可立即发货
在途量:
15,000
预期 2026/11/6
生产周期:
21
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥70.9753 ¥70.98
¥48.3075 ¥483.08
¥35.4029 ¥3,540.29
¥34.8266 ¥17,413.30
¥31.9338 ¥31,933.80
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥29.8659 ¥89,597.70
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
EPC
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
100 V
133 A
1.8 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
23 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
商标: EPC
配置: Single
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: Power Transistor
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 31.300 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2302 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is engineered for high-frequency DC-DC applications to/from 40V to 60V and 48V BLDC motor drives. This eGaN® FET features 1.8mΩ maximum drain-source on resistance RDS(on) and 100V drain-source breakdown voltage (continuous) VDS in a low inductance 3mm x 5mm QFN package. The package has side-wettable flanks and an exposed top for excellent thermal management. The thermal resistance to the case top is ~0.2°C/W, offering excellent thermal behavior and easy cooling. The EPC2302 enhancement-mode power transistor from EPC enables efficient operation in many topologies while improving efficiency and saving space.