RN汽车用内置偏置电阻型晶体管

Toshiba RN汽车用内置偏置电阻型晶体管 (BRT) 符合AEC-Q101标准,并针对开关、逆变器电路、接口连接和驱动器电路应用优化。偏置电阻为集成式设计,可减少所需的外部零件数量,同时缩小系统尺寸并节省组装时间。Toshiba RN汽车偏置电阻型BRT提供广泛的电阻范围,适用于各种电路设计。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 42,180库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 8,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F 37,637库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) 35,170库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 4,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F 9,284库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5,560库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 2,531库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5,980库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM) 5,558库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346) 6,000库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5,998库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5,985库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5,900库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 2,730库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5,985库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5,644库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F 4,724库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7,700库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 4,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7,772库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 4,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 5,762库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba ESD保护二极管/TVS二极管 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 32,535库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F 5,961库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba ESD保护二极管/TVS二极管 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 1,515库存量
6,000在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba ESD保护二极管/TVS二极管 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 9,256库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 6,045库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 8,000

Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 11,246库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000