NTHL022N120M3S碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美NTHL022N120M3S碳化硅 (SiC) MOSFET是一系列1200V M3S平面SiC MOSFET，优化用于快速开关应用。安森美NTHL022N120M3S采用平面技术，可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。这些MOSFET由18V栅极驱动进行驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动配合使用。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1
数据表
323库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1
数据表
682库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1
数据表
590库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC