SGT3D5R10MEB

STMicroelectronics
511-SGT3D5R10MEB
SGT3D5R10MEB

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
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STMicroelectronics
产品种类: GaN 场效应晶体管
发货限制：
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RoHS:  
SMD/SMT
FCLGA-8
N-Channel
1 Channel
100 V
201 A
3.5 mOhms
- 4 V to + 6 V
2.1 V
6.3 nC
- 40 C
+ 150 C
255 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 3.84 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: Transistors
产品类型: GaN FETs
上升时间: 6.08 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: PowerGaN Transistor
典型关闭延迟时间: 5.12 ns
典型接通延迟时间: 2.56 ns
单位重量: 78 mg
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数据表

合规代码
USHTS:
8541600060
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
不可用
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

供货情况

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