CoolSiC™ 1200V SiC沟槽式MOSFET

英飞凌CoolSiC ™ 1200V SiC沟槽式MOSFET将碳化硅的强大物理特性与提高器件性能、可靠性和易用性的独特特性结合在一起。 CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现最低应用损耗和最高运行可靠性。 这些器件适用于在高温和恶劣环境中运行，能够以最高的系统效率实现简化和有效的部署。

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Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
651库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
数据表
959库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
数据表
603库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
663库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel


Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
1,301库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
数据表
1,007库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
416库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
176库存量
240预期 2026/2/26
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
294库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
1,180库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
1,004库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
数据表
840库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
数据表
164库存量
720在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
255库存量
240预期 2026/8/13
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
422库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
68库存量
240预期 2026/2/16
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
数据表
173库存量
960预期 2026/5/7
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
数据表
159库存量
240预期 2026/2/12
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
数据表
80库存量
480预期 2026/8/5
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
数据表
421库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
数据表
201库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
数据表
2,878在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
数据表
446预期 2026/2/16
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel