CoolSiC™ 1200V SiC沟槽式MOSFET

英飞凌CoolSiC ™ 1200V SiC沟槽式MOSFET将碳化硅的强大物理特性与提高器件性能、可靠性和易用性的独特特性结合在一起。 CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现最低应用损耗和最高运行可靠性。 这些器件适用于在高温和恶劣环境中运行，能够以最高的系统效率实现简化和有效的部署。