Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC沟槽式MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC ™ 1200V SIC 沟槽式MOSFET将碳化硅的强大物理特性与提高器件性能、可靠性和易用性的独特特性结合在一起。CoolSiC 1200V SIC沟槽式MOSFET基于先进的沟槽半导体，经过优化可提供最低应用损耗和最高运行可靠性。 这些器件适用于在高温和恶劣环境中运行，能够以最高的系统效率实现简化和经济高效的部署。
CoolSiC™ 1200V SiC沟槽式MOSFET采用紧凑的TO-247-3和TO-247-4封装。TO-247-4封装包含与源极的额外连接（开尔文连接），它用作栅极驱动电压的参考电位，从而消除电压降在源极电感上的影响。因此，开关损耗甚至低于TO-247-3版本，尤其是在电流更大、开关频率更高的情况下。
特性
- 非常低的切换损失
- 无阈值导通状态特性
- 宽栅极电源电压范围
- 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V
- 0V关断栅极电压
- 完全可控的dV/dt
- 换向鲁棒体二极管，可用于同步整流
- 与温度无关的关闭开关损耗
- 出色的栅极氧化物可靠性
- 出色的开关和导通损耗
- IGBT兼容型驱动 (+15V)
- 阈值电压，Vth >4V
- 短路稳定性
- 最高效率，可降低冷却要求
- 更长使用寿命和更高可靠性
- 高频工作
- 降低系统成本
- 功率密度更高
- 减少系统复杂性
- 易于设计和实施
应用
- 光伏逆变器 (PV)
- 能量存储和电池充电
- 不间断电源 (UPS)
- 开关模式电源 (SMPS)
- 工业驱动器
- 医疗
开发工具
Infineon Technologies REF-DAB11KIZSICSYS转换器板
直流-直流级，具有宽范围输出，采用2个电感器和2个电容器 (CLLC) 谐振网络。
Infineon Technologies REF_SiC_D2Pak_MC和REF_SiC_D2Pak_BP板
支持用户评估采用D2Pak封装的1200V CoolSiC™ MOSFET（带无芯隔离栅极驱动器）。
Infineon Technologies REF-DR3KIBGSICMA参考板
包含两个PCB，包括一个驱动器电路和一个三相逆变器，用于电机驱动应用。
Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET 1200V评估平台
演示45mΩ CoolSiC™ 1200V SiC沟槽式MOSFET和EiceDriver™栅极驱动器IC。
Infineon Technologies EVAL-M5-IMZ120R-SIC电机驱动评估板
为基于1200V CoolSiC™ MOSFET的电机驱动应用提供评估板。
Infineon Technologies EiceDRIVER™1EDI30xxAS评估板
1EDI302xAS和1EDI303xAS EiceDRIVER ™隔离式栅极驱动器演示平台。
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双极电源功能板是通用评估平台的第二个驱动卡。
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