结果: 7
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V, 40A Field Stop IGBT
数据表
6,454库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 210

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 150 C FGH40N60SMD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
数据表
7,793库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 120
Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C FGH60N60SMD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A FSP IGBT
数据表
1,422库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si SC-70-3 SMD/SMT Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 40 A 208 W - 55 C + 150 C FGB20N60S_F085 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A Field Stop
数据表
853库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 60

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 80 A 290 W - 55 C + 150 C FGH40N60SFD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
数据表
609库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 175 C FGH40N60SM_F085 AEC-Q101 Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A Field Stop
数据表
1,032库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 60
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 290 W - 55 C + 150 C FGH40N60UFD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600 V 80 A 79 W
数据表
521库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 30

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 115 W - 55 C + 175 C FGAF40N60SMD Tube