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NTBLS0D8N08XTXG

Name: onsemi NTBLS0D8N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS0D8N08XTXG
Price: 58.41 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTBLS0D8N08XTXG

制造商编号：

NTBLS0D8N08XTXG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

数据表:

NTBLS0D8N08XTXG 数据表

ECAD模型:

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供货情况

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在途量:: 1,673

预期 2026/9/15

26,000

10,000

预期 2026/12/4

16,000

预期 2027/1/8
生产周期：: 27

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥66.0033	¥66.00
	¥44.748	¥447.48
	¥34.4876	¥3,448.76
	¥31.6852	¥15,842.60
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
	¥29.5269	¥59,053.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	457 A
Rds On-漏源导通电阻:	790 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	174 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	325 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	20 ns
正向跨导 - 最小值:	485 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	15 ns
系列:	NTBLS0D8N08X
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	70 ns
典型接通延迟时间:	34 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NTBLS0D8N08XTXG 数据表

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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云电源管理解决方案

安森美 (onsemi) 云电源管理解决方案为基础设施提供必不可少的计算和连接功能，对于处理器、存储库和无线基站的供电至关重要。随着业务向云端转移，效率和可靠性的重要性日益凸显。AI服务器尤其需要可靠的电源来确保最佳性能和效率，因此对于AI驱动的业务来说，要维护其完整性和功能性，安森美解决方案不可或缺。安森美提供AC-DC转换、多相转换、负载点电源和热插拔保护等阵容丰富的解决方案，能满足云端基础设施的各类电源需求。凭借尖端的技术、可靠的性能和深厚的专业应用知识，无论是对于当前的基站、服务器还是数据中心，安森美都是理想的供电合作伙伴。

NTBLS0D8N08X 80V单N沟道MOSFET

安森美NTBLS0D8N08X 80V单N沟道MOSFET具有低反向恢复电荷（Q_rr）和软恢复体二极管，可确保高效能量管理。安森美NTBLS0D8N08X还具有超低导通电阻（R_DS(on)），可提高整体功率效率。其低栅极电荷（Q_g）进一步有助于优化开关特性。此外，它符合环境标准，无铅、无卤/无溴化阻燃剂 (BFR)。