NTMT045N065SC1

Name: onsemi NTMT045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMT045N065SC1
Price: 87.84 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMT045N065SC1

制造商编号：

NTMT045N065SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, Power88

数据表:

NTMT045N065SC1 数据表

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数量	单价	总价
	¥99.2592	¥99.26
	¥72.2974	¥722.97
	¥62.6133	¥6,261.33
	¥57.404	¥57,404.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥51.1212	¥153,363.60

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TDFN-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	55 A
Rds On-漏源导通电阻:	50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	105 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	187 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	7 ns
正向跨导 - 最小值:	16 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	14 ns
系列:	NTMT045N065SC1
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	26 ns
典型接通延迟时间:	13 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NTMT045N065SC1 数据表

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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