1700V XPT™高压IGBT

IXYS 1700V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBT设计用于高压高速电源转换应用。该IGBT采用专有的薄晶圆XPT™技术开发而成，具有更低的热阻、低拖尾电流、低能量损耗和高速开关能力。这些器件的导通电压的正温度系数使设计人员能够并联使用IGBT。该功能允许减少相关的栅极驱动电路，设计更简单，并提高整体系统可靠性。共封装快速恢复二极管提供低反向恢复时间。快速恢复二极管针对平滑开关波形进行了优化，显著降低了电磁干扰 (EMI)。
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封装 / 箱体
IXYS IGBT 模块 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
数据表
448库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
数据表
79库存量
870预期 2026/5/7
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3