IAUZ4xN06S5 60V汽车级OptiMOS™-5 MOSFET

英飞凌科技 IAUZ4xN06S5 60V汽车级OptiMOS ™- 5 MOSFET具有低漏源导通电阻、低栅极电荷和低栅极电容，可最大限度地降低导通和开关损耗。这些N通道、增强模式 MOSFET还具有22.7nC至23.0nC的极低反向恢复电荷。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
数据表
4,677库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
数据表
13,003库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel