Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 60V汽车级OptiMOS™-5 MOSFET

英飞凌科技 IAUZ4xN06S5 60V汽车级OptiMOS ™- 5 MOSFET具有低漏源导通电阻、低栅极电荷和低栅极电容，可最大限度地降低导通和开关损耗。这些N通道、增强模式 MOSFET还具有22.7nC至23.0nC的极低反向恢复电荷。

英飞凌科技 IAUZ4xN06S5 OptiMOS-5 MOSFET符合汽车应用类AEC-Q101标准。5.0mΩ IAUZ40N06S5采用3mm x 3mm S3O8 (PG-TSDSON-8)封装。10.2mΩ IAUC41N06S5采用5mm x 6mm单SS08 (PG-TDSON-8)封装。

特性

用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
N通道、增强模式、逻辑电平器件
超出AEC-Q101标准
增强电气测试
设计坚固耐用

MSL1，峰值回流温度高达260°C
最高工作温度：175°C
绿色产品（符合RoHS指令）
100%经雪崩测试

应用

通用汽车应用
直流-直流系统
LED照明

无线充电
ADAS
CAV (24V)应用

规范

漏极-源极击穿电压 (V_(BR)DSS)：60V
漏极-源极导通电阻 (R_DS(on))
- IAUZ40N06S5: 5.0mΩ
- IAUC41N06S5: 10.2mΩ
连续漏电流 (I_D)
- IAUZ40N06S5: 90A
- IAUC41N06S5: 47A
栅极源极电压 (V_GS)
- IAUZ40N06S5: ±16V
- IAUC41N06S5: ±20V

功率耗散
- IAUZ40N06S5: 71W
- IAUC41N06S5: 42W
反向恢复电荷 (Q_rr)
- IAUZ40N06S5: 23nC
- IAUC41N06S5: 22.7nC
封装选项
- IAUZ40N06S5: 3mm x 3mm S3O8 (PG-TSDSON-8)
- IAUC41N06S5： 5mm x 6mm单SS08 (PG-TDSON-8)