FDMS36xxS功率级非对称双MOSFET

Fairchild Semiconductor FDMS36xxS功率级非对称双MOSFET模块是市面上所有5mmx6mm双MOSFET解决方案中输出电流能力最高的产品。Fairchild FDMS36xxS非对称双MOSFET模块将一个控制和同步MOSFET模块以及一个单片肖特基体二极管集成在一个PQFN封装中。这些器件的开关节点已获内部连接,能够轻易进行同步降压转换器的布局和走线。控制MOSFET和同步MOSFET设计用于为高达30A的输出电流提供最佳功效。这些Fairchild Semiconductor器件可在高性能计算的额定击穿电压下,获得低于2mΩ的业界领先低端rDS(on)。FDMS36xxS MOSFET模块经过优化,可最大程度减小300kHz-600kHz范围的综合传导损耗和开关损耗,为负载点和多相同步降压DC-DC应用带来可靠的最高功效。
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结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
onsemi MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench 5,853库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A 7.5 mOhms, 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 20 nC, 33 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 30V N-Channel PowerTrench 3,691库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT Power-3x45-8 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 28 nC, 60 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 3,828库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 10.1 A, 12.4 A 20 mOhms, 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 11 nC, 23 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench 2,220库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT Power-33-8 N-Channel 2 Channel 30 V 18 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.3 nC, 16 nC - 55 C + 150 C 1.9 W, 2.2 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 3,945库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT Power-33-8 N-Channel 2 Channel 30 V 18 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.5 nC, 15.7 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel