X4级135V至150V功率MOSFET
IXYS X4级135V至150V功率MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术。得益于该技术，这些功率MOSFET具有极低的电阻RDS(on)和栅极电荷Qg。低导通电阻可降低导通损耗；另外还可降低输出电容中存储的能量，从而最大限度地降低开关损耗。由于栅极电荷低，因此可在轻负载时实现更高的效率并且栅极驱动要求更低。这些MOSFET还可耐雪崩，并具有出色的dv/dt性能。这些MOSFET的导通电阻具有正温度系数，因此可以并联工作，以满足更高的电流要求。
IXYS X4级135V至150V功率MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术。得益于该技术，这些功率MOSFET具有极低的电阻RDS(on)和栅极电荷Qg。低导通电阻可降低导通损耗；另外还可降低输出电容中存储的能量，从而最大限度地降低开关损耗。由于栅极电荷低，因此可在轻负载时实现更高的效率并且栅极驱动要求更低。这些MOSFET还可耐雪崩，并具有出色的dv/dt性能。这些MOSFET的导通电阻具有正温度系数，因此可以并联工作，以满足更高的电流要求。