SGT350R70GTK

Name: STMicroelectronics SGT350R70GTK
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT350R70GTK
Price: 19.03 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-SGT350R70GTK

制造商编号：

SGT350R70GTK

制造商：

STMicroelectronics

说明：

GaN 场效应晶体管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥21.5039	¥21.50
	¥13.899	¥138.99
	¥9.9214	¥992.14
	¥8.3507	¥4,175.35
	¥7.8874	¥7,887.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥6.7461	¥16,865.25
	¥6.7009	¥33,504.50
	¥6.5314	¥65,314.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3
Vds-漏源极击穿电压:	700 V
Id-连续漏极电流:	6 A
Rds On-漏源导通电阻:	350 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	1.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	47 W
通道模式:	Enhancement
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	6.1 ns
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	FET
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	3.5 ns
系列:	SGT
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
技术:	GaN
类型:	PowerGaN Transistor
典型关闭延迟时间:	1.2 ns
典型接通延迟时间:	0.9 ns
单位重量:	300 mg

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ECCN:: EAR99

SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管

STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管是一款高性能增强模式PowerGaN晶体管，针对严苛应用中的高效电源转换进行了优化。STMicroelectronics SGT350R70GTK的漏极-源极电压额定值为700V，最大导通电阻为350mΩ，得益于氮化镓 (GaN) 技术，可实现低导通损耗和快速切换能力。该设备采用散热增强型DPAK封装，支持大电流处理和改进的热耗散，适用于高密度电源设计。低的栅极电荷和输出电容可实现高频操作，非常适合用于功率因数校正 (PFC)、谐振转换器以及工业、电信和消费类电子产品领域的其他先进电源拓扑。