FGAFx0N60 Field Stop IGBTs

onsemi FGAFx0N60 650V Field Stop IGBTs use a novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. onsemi FGAFx0N60 IGBTs offer the optimum performance for solar inverters, UPS, welder, and PFC applications that require low conduction and switching losses.

结果: 12
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3 TIGBT Excellent switching performan
数据表
502库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDTL4 Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600 V 80 A 79 W
数据表
514库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 30

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 115 W - 55 C + 175 C FGAF40N60SMD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 150A 187W
数据表
307库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 150 A 187 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/75A FS TRENCH IGBT
数据表
758库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.69 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD AEC-Q101 Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 60A Field Stop IGBT
数据表
1,007库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C FGA60N65SMD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS3 Trench IGBT
数据表
533库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 40

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDT Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V 100 A 240 W
数据表
81库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 340 W - 55 C + 175 C FGH50T65UPD Tube
onsemi FGH60T65SHD-F155
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3TIGBT TO247 60A 650V
数据表
2,145库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 450

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 349 W - 55 C + 175 C FGH60T65SHD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 40A Field Stop IGBT
数据表
529库存量
450预期 2027/1/22
最低： 1
倍数： 1
最大： 150

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 175 C FGA40N65SMD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
数据表
65库存量
450预期 2026/12/1
最低： 1
倍数： 1
最大： 60

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGA40T65SHD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT
数据表
101库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHDF Tube
onsemi FGH40T65SHD-F155
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3TIGBT TO247 40A 650V
数据表
450预期 2026/9/2
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHD Tube