NTH4L028N170M1

onsemi
863-NTH4L028N170M1
NTH4L028N170M1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 118

库存：
118
可立即发货
在途量:
450
预期 2026/2/18
生产周期：
18
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥306.1283 ¥306.13
¥232.3506 ¥2,323.51

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
81 A
40 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
200 nC
- 55 C
+ 175 C
535 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 31 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 18 ns
系列: NTH4L028N170M1
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 121 ns
典型接通延迟时间: 47 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M1 EliteSiC MOSFET

onsemi M1 EliteSiC MOSFET具有1200V和1700V额定电压。  onsemi M1 MOSFET设计用于满足要求可靠性和效率的大功率应用需求。 M1 EliteSiC MOSFET采用多种封装选项，包括D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD和裸片。

NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET

安森美NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET可为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高效的性能。安森美EliteSiC MOSFET采用平面技术，可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。该系列由20V栅极驱动器驱动时可提供最佳性能，但也可与18V栅极驱动配合使用。

储能解决方案

onsemi储能系统（ESS）以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力，包括电池（电化学）、压缩空气（机械）和熔盐（热能）。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。

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