NTH4L028N170M1

onsemi
863-NTH4L028N170M1
NTH4L028N170M1

制造商:

说明:
碳化硅MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 767

库存:
767 可立即发货
生产周期:
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1   最多: 30
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥321.3494 ¥321.35
¥243.3455 ¥2,433.46

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
81 A
40 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
200 nC
- 55 C
+ 175 C
535 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 31 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 18 ns
系列: NTH4L028N170M1
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 121 ns
典型接通延迟时间: 47 ns
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

M1 EliteSiC MOSFET

onsemi M1 EliteSiC MOSFET具有1200V和1700V额定电压。  onsemi M1 MOSFET设计用于满足要求可靠性和效率的大功率应用需求。 M1 EliteSiC MOSFET采用多种封装选项,包括D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD和裸片。

NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET

安森美NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET可为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高效的性能。安森美EliteSiC MOSFET采用平面技术,可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。该系列由20V栅极驱动器驱动时可提供最佳性能,但也可与18V栅极驱动配合使用。

储能解决方案

onsemi储能系统(ESS)以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力,包括电池(电化学)、压缩空气(机械)和熔盐(热能)。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。