NTB004N10G

onsemi
863-NTB004N10G
NTB004N10G

制造商：

说明：
MOSFET MV5 SOAFET 4.2MOHM 100V N-FET D2PAK

数据表:
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库存量: 641

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本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1   最多： 30
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按800的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥58.2289 ¥58.23
¥53.9349 ¥539.35
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
¥53.9349 ¥43,147.92
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
201 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
175 nC
+ 175 C
340 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTB004N10G
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
单位重量: 4 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTB004N10G N沟道功率MOSFET

onsemi NTB004N10G N沟道功率MOSFET是指定雪崩能量、201A（ID）、100V（VDSS）N沟道增强型MOSFET，采用D2PAK封装。这款MOSFET具有较低的4.2mΩ（10V RDS(on) 时），采用坚固耐用的技术，具有极高的可靠性，并且与标准MOSFET相比，具有更优越的安全工作区（SOA）曲线，可容许热插拔。onsemi NTB004N10G MOSFET专为48V总线的宽SOA应用而设计，包括电信、热插拔和服务器设备。其他典型应用还包括转换器和电源。

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