onsemi NTB004N10G N沟道功率MOSFET

onsemi NTB004N10G N沟道功率MOSFET是指定雪崩能量、201A（I_D）、100V（V_DSS）N沟道增强型MOSFET，采用D²PAK封装。这款MOSFET具有较低的4.2mΩ（10V R_DS(on) 时），采用坚固耐用的技术，具有极高的可靠性，并且与标准MOSFET相比，具有更优越的安全工作区（SOA）曲线，可容许热插拔。onsemi NTB004N10G MOSFET专为48V总线的宽SOA应用而设计，包括电信、热插拔和服务器设备。其他典型应用还包括转换器和电源。