NVHL060N065SC1

onsemi
863-NVHL060N065SC1
NVHL060N065SC1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 445

库存：
445 可立即发货
生产周期：
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥128.7861 ¥128.79
¥90.9085 ¥909.09
¥77.4276 ¥9,291.31

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47 A
44 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
176 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 2 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 32 ns
系列: NVHL060N065SC1
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低RDS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。

NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET

安森美（onsemi）NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET是一款650V、60mΩ（典型值）、47A单N沟道MOSFET，采用紧凑、高效的设计 实现高的热性能。该MOSFET采用 全新的技术，与硅器件相比，具有更出色的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。NVHL060N065SC1功率MOSFET具有 高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI以及更小的系统尺寸。该MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。典型应用包括汽车车载充电器和电动汽车 (EV) 直流/直流转换器。

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