Nano Cap™ 650V GaN HEMT功率级IC

ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT功率级IC设计用于要求苛刻的电子系统。这些IC将高功率密度和效率完美结合。该器件集成了650V增强型GaN HEMT和硅驱动器。ROHM Semiconductor Nano Cap 650V GaN HEMT功率级IC非常适用于工业设备、电源、桥式拓扑和适配器等应用。

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 最小工作温度 最大工作温度 通道模式 商标名
ROHM Semiconductor GaN 场效应晶体管 PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5mO, Low Side Nch 995库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT VQFN-46 1 Channel 650 V 68.8 A 70 mOhms - 40 C + 105 C Enhancement Nano Cap; EcoGaN
ROHM Semiconductor GaN 场效应晶体管 HEMT POWER STAGE IC
1,000在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT VQFN-46 1 Channel 650 V 17.9 A 100 mOhms - 40 C + 105 C Enhancement Nano Cap; EcoGaN
ROHM Semiconductor GaN 场效应晶体管 HEMT POWER STAGE IC
1,000在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT VQFN-46 1 Channel 650 V 12.2 A 195 mOhms - 40 C + 105 C Enhancement Nano Cap; EcoGaN