TGF3015-SM

Name: Qorvo TGF3015-SM
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF3015-SM
Price: 662.15 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

772-TGF3015-SM

制造商编号：

TGF3015-SM

制造商：

Qorvo

说明：

GaN 场效应晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN

数据表:

TGF3015-SM 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	QFN-EP-16
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	32 V
Id-连续漏极电流:	557 mA
Pd-功率耗散:	15.3 W
商标:	Qorvo
配置:	Single
开发套件:	TGF3015-SM-EVB1
增益:	17.1 dB
最大工作频率:	3 GHz
最小工作频率:	30 MHz
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	11 W
封装:	Tray
产品类型:	GaN FETs
系列:	TGF3015
工厂包装数量:	100
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 2.7 V
零件号别名:	TGF3015 1120419
单位重量:	6.745 g

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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