CDMS24783-120 SL

Central Semiconductor
610-CDM24783120SL
CDMS24783-120 SL

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Central Semiconductor CDMS24783-120 SL详情

库存量: 40

库存：
40 可立即发货
生产周期：
1 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥236.8141 ¥236.81
¥153.6009 ¥1,536.01
¥147.3181 ¥17,678.17

产品属性 属性值 选择属性
Central Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
18 A
150 mOhms
20 V
4 V
55 C
- 55 C
+ 175 C
28 W
Depletion
商标: Central Semiconductor
配置: Single
产品: MOSFETs
产品类型: SiC MOSFETS
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: SiC MOSFET
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET

Central Semiconductor CDMS24783-120 Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications. This SiC MOSFET features a 20V gate-source voltage, 18A continuous drain current, 28W power dissipation, and 20A pulsed drain current. The CDMS24783-120 MOSFET supports higher breakdown voltage and better thermal conductivity. This device is available in a TO-247 package with an operating temperature range of -55°C to 175°C. Typical applications include Electric Vehicles (EV), renewable energy systems, and medical imaging equipment.

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。