GAN041-650WSBQ

Nexperia
771-GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET

数据表:
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¥-.--
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数量 单价
总价
¥94.9539 ¥94.95
¥74.6139 ¥746.14
¥69.9809 ¥3,499.05
¥68.817 ¥6,881.70
¥58.4775 ¥11,695.50
整卷卷轴（请按30的倍数订购）
¥74.6139 ¥2,238.42

产品属性 属性值 选择属性
Nexperia
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
Through Hole
SOT-429-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47.2 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.5 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
商标: Nexperia
配置: Single
下降时间: 10 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品类型: GaN FETs
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: GaN
零件号别名: 934661752127
单位重量: 123 mg
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已选择的属性: 0

数据表

Application Notes

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

面向工业应用的GaN FET

Nexperia 面向工业应用的GaN FET在功率转换和控制方面具有高效率。对于某些应用而言，功率转换效率和功率密度对于市场采用至关重要。主要例子包括高压通信和工业基础设施行业。GaN FET可实现更小、更快、散热、更轻的系统，并具有更低的整体系统成本。

GAN041-650WSB氮化镓（GaN）FET

Nexperia GAN041-650WSB氮化镓（GaN）FET具有650V漏源电压、47.2A漏极额定电流以及41mΩ最大电阻。  GAN041采用TO-247封装，是一款常关型器件，将高压GaN HEMT H2技术和低压硅MOSFET技术结合在一起。这些技术组合可以提供出色的可靠性和性能。Nexperia GAN041-650WSB GaN FET非常适合用于无桥图腾柱PFC、伺服电机驱动器以及工业和数据通信电源用硬开关和软开关转换器。 

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