STPSC30G12碳化硅功率肖特基二极管

STMicroelectronics   STPSC30G12碳化硅功率肖基特二极管采用DO-247封装,具有长引线。STMicroelectronics   STPSC30G12是一款超高 性能功率肖特基整流器采用碳化硅基板制造。 宽带隙材料支持设计具有 额定电压为1200V的低VF肖基特结构二极管。 得益于肖特基构造,关断期间不会显示恢复,振铃模式可忽略不计。最小电容关断行为,与温度无关 。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 配置 If - 正向电流 Vrrm - 重复反向电压 Vf - 正向电压 Ifsm - 正向浪涌电流 Ir - 反向电流 最小工作温度 最大工作温度 资格 封装
STMicroelectronics 碳化硅肖特基二极管 Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode 525库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole DO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.35 V 250 A 15 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics 碳化硅肖特基二极管 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode 5库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole DO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.35 V 250 A 15 uA - 55 C + 175 C Tube