12V-250V P沟道功率MOSFET

Infineon 12V-250V P沟道功率MOSFET为设计人员提供一个新选项，以便在优化性能的同时简化电路。P沟道器件的主要优点是降低了中低功耗应用中的设计复杂性。P沟道功率MOSFET非常适合用于电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、直流-直流转换器和低压驱动应用。