NTBLS4D0N15MC

Name: onsemi NTBLS4D0N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS4D0N15MC
Price: 46.34 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTBLS4D0N15MC

制造商编号：

NTBLS4D0N15MC

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 150 V, 4.4 mohm?, 187A

数据表:

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	¥39.9568	¥399.57
	¥29.8659	¥2,986.59
	¥26.9618	¥26,961.80
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
	¥24.3176	¥48,635.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-LL8-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	187 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	90.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	316 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	11 ns
正向跨导 - 最小值:	174 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	115 ns
系列:	NTBLS4D0N15MC
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	58 ns
典型接通延迟时间:	47 ns

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTBLS4D0N15MC单N通道MOSFET

安森美 (onsemi) NTBLS4D0N15MC单N沟道MOSFET是一款具有低R_DS(on) 的功率MOSFET，可最大限度地降低导通损耗。此MOSFET具有低总栅极电荷 (Q_G) 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗。安森美 (onsemi) NTBLS4D0N15MC MOSFET可降低开关噪声/EMI，具有187A最大连续漏极电流 (I_D) 和150V漏极-源极电压 (V_DSS)。典型应用包括电动工具、电池供电吸尘器、无人航空载具 (UAV)/无人机、材料处理、电池管理系统 (BMS)/存储和家居自动化。

工业电机驱动器

安森美电机驱动器设计用于实现全球可持续性，提供高效、可再生能源技术和智能电源。根据美国能源部 (DOE) 发布的《2020年电机系统市场分析报告》(MSMA)，工业泵和驱动器每年消耗全美电网近15%的电量。该报告还预测，使用VFD每年可以减少32.3万吨二氧化碳的排放安森美生产多种VFD半导体组件，包括栅极驱动器、MOSFET、IGBT和EliteSiC。