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NTBLS4D0N15MC

Name: onsemi NTBLS4D0N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS4D0N15MC
Price: 58.05 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTBLS4D0N15MC

制造商编号：

NTBLS4D0N15MC

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR INDUSTRIAL

数据表:

NTBLS4D0N15MC 数据表

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-LL8-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	187 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	90.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	316 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	11 ns
正向跨导 - 最小值:	174 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	115 ns
系列:	NTBLS4D0N15MC
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	58 ns
典型接通延迟时间:	47 ns

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数据表

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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