700V CoolGaN™ G4功率晶体管

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4功率晶体管是增强模式硅基氮化镓功率晶体管,具有允许电流大、击穿电压高、开关频率高的特性。GaN Systems 创新采用了业界领先的突破性技术,例如获得专利的Island Technology® 单元布局,其实现了大电流裸片和高产出。这些700V CoolGaN功率晶体管可在电源开关中实现超高功率密度设计和高系统效率。GS-065功率晶体管采用底部冷却PDFN封装。这些功率晶体管具有非常低的结壳热阻,因此非常适合用于要求苛刻的大功率应用。其中一些应用包括数据中心和计算解决方案、电源适配器、LED照明驱动器、开关模式电源 (SMPS)、无线电源传输和电机驱动器。

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 通道模式
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS 297库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

SMD/SMT TOLL-11 N-Channel 1 Channel 700 V 40 A 58 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS 287库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS 88库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS 124库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 23 A 90 mOhms - 10 V, + 7 V 4.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
744预期 2026/2/26
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 4.6 A 455 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 800 pC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
249预期 2026/6/8
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS 交货期 18 周
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement