STDRIVEG612 600 V半桥栅极驱动器
STMicroelectronics STDRIVEG612是一款600V高速半桥栅极驱动器,专为5V驱动增强模式GaN HEMT而优化。根据设计,其高侧驱动器部分支持高达600V的电压轨,且可由集成的自举二极管轻松供电。STDRIVEG612具备高电流能力、短传播延迟以及出色的延迟匹配,同时集成了LDO稳压器,使其成为驱动高速GaN的理想选择。
STMicroelectronics STDRIVEG612是一款600V高速半桥栅极驱动器,专为5V驱动增强模式GaN HEMT而优化。根据设计,其高侧驱动器部分支持高达600V的电压轨,且可由集成的自举二极管轻松供电。STDRIVEG612具备高电流能力、短传播延迟以及出色的延迟匹配,同时集成了LDO稳压器,使其成为驱动高速GaN的理想选择。