DMN52D0UVA-7

Name: Diodes Incorporated DMN52D0UVA-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN52D0UVA-7
Price: 3.07 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

621-DMN52D0UVA-7

制造商编号：

DMN52D0UVA-7

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K

数据表:

DMN52D0UVA-7 数据表 (PDF)

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥3.4691	¥3.47
	¥2.147	¥21.47
	¥1.356	¥135.60
	¥1.00909	¥504.55
	¥0.90174	¥901.74
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥0.75258	¥2,257.74
	¥0.678	¥4,068.00
	¥0.57856	¥5,207.04
	¥0.5537	¥13,288.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT563-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	50 V
Id-连续漏极电流:	480 mA
Rds On-漏源导通电阻:	2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 12 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	490 mV
Qg-栅极电荷:	1.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	890 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Dual
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	38.5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	11.3 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	33 ns
典型接通延迟时间:	1.05 ns

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMN52D0UVA N沟道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMN52D0UVA N沟道增强模式MOSFET是一款双路N沟道MOSFET，设计用于最大限度地降低R_DS(ON)，并保持出色的开关性能。该MOSFET具有低输入电容、快速开关速度、低输入/输出漏电流和超小型表面贴装封装。DMN52D0UVA MOSFET具有ESD保护功能，无铅，符合RoHS指令，不含卤素和锑。该MOSFET具有极低栅极阈值电压，可在-55°C至150°C温度范围内工作。典型应用包括电池管理系统、电源管理功能和负载开关。