BLS9G2731L LDMOS S-Band Radar Power Transistors

Ampleon BLS9G2731L LDMOS S-Band Radar Power Transistors are 400W LDMOS power transistors for S-band applications in the 2700MHz to 3100MHz frequency range. The Ampleon BLS9G2731L transistors deliver high efficiency, excellent thermal stability / ruggedness, and easy power control.

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
无库存交货期 16 周
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 3.1 GHz 13 dB 400 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY

N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 3.1 GHz 13 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray