射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

BLS9G2731L LDMOS S-Band Radar Power Transistors

Ampleon BLS9G2731L LDMOS S-Band Radar Power Transistors are 400W LDMOS power transistors for S-band applications in the 2700MHz to 3100MHz frequency range. The Ampleon BLS9G2731L transistors deliver high efficiency, excellent thermal stability / ruggedness, and easy power control.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 2

已应用过滤器:

安装风格

封装 / 箱体

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	晶体管极性	技术	Vds-漏源极击穿电压	Rds On-漏源导通电阻	工作频率	增益	输出功率	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY BLS9G2731L-400U Ampleon 1: ¥3,154.9487 106库存量 Mouser 的新产品	制造商零件编号 BLS9G2731L-400U Mouser 零件编号 94-BLS9G2731L-400U Mouser 的新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY 了解更多关于Ampleon bls9g2731l transistors 的信息此产品可能需要其他文件才能从美国出口。	数据表	106库存量	¥3,154.9487 ¥2,669.1617	最低： 1 倍数： 1			N-Channel	LDMOS	65 V	30 mOhms	2.7 GHz to 3.1 GHz	13 dB	400 W	+ 225 C	Screw Mount	SOT502A-3	Tray
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY BLS9G2731LS-400U Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLS9G2731LS-400U Mouser 零件编号 94-BLS9G2731LS-400U	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY 了解更多关于Ampleon bls9g2731l transistors 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			N-Channel	LDMOS	65 V	30 mOhms	2.7 GHz to 3.1 GHz	13 dB	400 W	+ 225 C	SMD/SMT	SOT502B-3	Tray

BLS9G2731L LDMOS S-Band Radar Power Transistors

已应用过滤器:

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持