TP65H070G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H070G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4PS
Price: 54.97 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

227-TP65H070G4PS

制造商编号：

TP65H070G4PS

制造商：

Renesas Electronics

说明：

GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in TO220

数据表:

TP65H070G4PS 数据表 (PDF)

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整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥26.0578	¥26,057.80

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	29 A
Rds On-漏源导通电阻:	85 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.7 V
Qg-栅极电荷:	9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	96 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperGaN
商标:	Renesas Electronics
下降时间:	7.2 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	6.2 ns
系列:	Gen IV SuperGaN
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
技术:	GaN
典型关闭延迟时间:	56 ns
典型接通延迟时间:	43.4 ns

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