TP65H035G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H035G4YS 650V SuperGaN®场效应晶体管 (FET) 是一款4引线TO-247封装的35mΩ电阻氮化镓 (GaN) FET。这款常关器件使用Renesas Electronics的Gen IV平台，将高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合，得到了优异的可靠性和性能。第四代 SuperGaN 平台利用先进的外延和专利设计技术，简化了可制造性。平台还通过降低栅极电荷、交叉损失、输出电容和反向恢复电荷使效率优于硅。这款四引脚 TP65H035G4YS SuperGaN 设备可以作为原始设计选项，也可以作为四引脚硅和 SiC 解决方案的直接替代品，支持 1 kW 及以上的电源。Renesas Electronics 650 V SuperGaN FET 的理想应用包括数据通信、工业、光伏逆变器和伺服电机。