CSD25310Q2 20V P沟道NexFET功率MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V P沟道NexFET功率MOSFET是一款19.9mΩ、-20V P沟道MOSFET，设计用于提供最低导通电阻和栅极电荷。它具有最小外形尺寸，出色的热特性，采用超薄设计。CSD25310Q2的导通电阻低，占位面积超小，采用SON 2mmX2mm塑料封装，因此非常适合用于由电池供电的空间受限应用。