2000V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌科技2000V CoolSiC™ MOSFET是沟槽式MOSFET，采用TO-247PLUS-4-HCC封装。这些MOSFET设计用于在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度，即使在苛刻的高压和开关频率条件下也是如此。CoolSiC™技术具有低功耗，采用.XT互连技术，可靠性极高，可在各种应用中提高效率。2000V MOSFET具有4.5V基准栅极阈值电压，开关损耗非常低。典型应用包括储能系统、电动汽车充电、灯串逆变器和太阳能优化器。