NTBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NTBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D7N10MCTXG
Price: 63.03 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTBLS1D7N10MCTXG

制造商编号：

NTBLS1D7N10MCTXG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 100V STD TOLL

数据表:

NTBLS1D7N10MCTXG 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	272 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	115 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	295 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	31 ns
正向跨导 - 最小值:	220 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	38 ns
系列:	NTBLS1D7N10MC
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	76 ns
典型接通延迟时间:	48 ns

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数据表

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTBLS1D7N10MC单N沟道MOSFET

onsemi NTBLS1D7N10MC单N沟道MOSFET具有低R_DS(on)，可最大限度地降低导通损耗，确保高效电源管理。安森美半导体NTBLS1D7N10MC具有低Qg和电容，提高了开关速度并降低了能量耗散。包括一个软恢复二极管，可最大限度地降低开关噪声和潜在的电磁干扰，从而进一步提高性能。NTBLS1D7N10MC无铅，符合现代制造标准和法规。

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库存量: 1,942

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输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥71.2239	¥71.22
	¥38.7138	¥387.14
	¥35.5724	¥3,557.24
	¥34.9848	¥17,492.40
	¥33.0864	¥33,086.40
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
	¥33.0864	¥66,172.80

NTBLS1D7N10MCTXG

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