NTBLS1D7N10MCTXG

onsemi
863-NTBLS1D7N10MCTXG
NTBLS1D7N10MCTXG

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 100V STD TOLL

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 1,942

库存：
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52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥68.6588 ¥68.66
¥46.6464 ¥466.46
¥34.1599 ¥3,415.99
¥33.335 ¥16,667.50
¥31.0976 ¥31,097.60
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥31.0976 ¥62,195.20

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
272 A
1.8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
295 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 31 ns
正向跨导 - 最小值: 220 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 38 ns
系列: NTBLS1D7N10MC
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 76 ns
典型接通延迟时间: 48 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTBLS1D7N10MC单N沟道MOSFET

onsemi NTBLS1D7N10MC单N沟道MOSFET具有低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗，确保高效电源管理。安森美半导体NTBLS1D7N10MC具有低Qg和电容，提高了开关速度并降低了能量耗散。包括一个软恢复二极管，可最大限度地降低开关噪声和潜在的电磁干扰，从而进一步提高性能。NTBLS1D7N10MC无铅，符合现代制造标准和法规。

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