Name: Qorvo QPD1016L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1016L
Price: 7774.39 RMB
Availability: OutOfStock

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	NI-780
晶体管极性:	P-Channel
Id-连续漏极电流:	1 A
Pd-功率耗散:	714 W
最大工作频率:	1.7 GHz
最小工作频率:	0 Hz
技术:	GaN
商标:	Qorvo
增益:	18 dB
最大漏极/栅极电压:	50 V
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	537 W
封装:	Waffle
产品类型:	GaN FETs
系列:	QPD1016L
工厂包装数量:	25
子类别:	Transistors

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数据表

QPD1016L 数据表 (PDF)

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

QPD1016L GaN射频晶体管

Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管是一款500W (P3dB) 预匹配分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（碳化硅基氮化镓HEMT），工作频率范围为直流至1.7GHz。QPD1016L在1.3GHz时的线性增益为 18dB，在3dB压缩点的漏极效率为67%。该器件可支持脉冲和线性操作。