CGHV40200PP

MACOM
941-CGHV40200PP
CGHV40200PP

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解MACOM CGHV40200PP详情
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。

库存量: 45

库存：
45 可立即发货
生产周期：
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥5,236.8155 ¥5,236.82
¥4,586.557 ¥45,865.57

产品属性 属性值 选择属性
MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
发货限制：
 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS:  
Screw Mount
440199
N-Channel
150 V
8.7 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
166 W
商标: MACOM
配置: Single
开发套件: CGHV40200PP-AMP1
增益: 16.1 dB
最大工作频率: 1.9 GHz
最小工作频率: 1.7 GHz
输出功率: 250 W
封装: Tray
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
3A001.b.3.a.4

CGHV40200PP GaN HEMT

Wolfspeed/Cree CGHV40200PP GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT) 在50V电源轨下工作，为射频和微波应用提供宽带解决方案。Gan HEMT具有高效率、高增益和高带宽能力。得益于以上特性，CGHV40200PP非常适合用于线性和压缩放大器电路。CGHV40200PP GaN HEMT采用4引脚法兰封装。典型应用包括双向无线电、宽带放大器、雷达放大器和测试仪器仪表。
了解详情

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。