CGHV40200PP

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Mouser编号：

941-CGHV40200PP

制造商编号：

CGHV40200PP

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

数据表:

CGHV40200PP 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	440199
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	8.7 A
Vgs th-栅源极阈值电压:	- 3 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	166 W
最大工作频率:	1.9 GHz
最小工作频率:	1.7 GHz
技术:	GaN
商标:	MACOM
配置:	Single
开发套件:	CGHV40200PP-AMP1
增益:	16.1 dB
输出功率:	250 W
封装:	Tray
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	25
子类别:	Transistors
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 10 V, 2 V

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CGHV40200PP GaN HEMT

Wolfspeed/Cree CGHV40200PP GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT) 在50V电源轨下工作，为射频和微波应用提供宽带解决方案。Gan HEMT具有高效率、高增益和高带宽能力。得益于以上特性，CGHV40200PP非常适合用于线性和压缩放大器电路。CGHV40200PP GaN HEMT采用4引脚法兰封装。典型应用包括双向无线电、宽带放大器、雷达放大器和测试仪器仪表。
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