IMZA65R083M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA65R083M1HXKS
IMZA65R083M1HXKSA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Infineon Technologies IMZA65R083M1HXKSA1详情

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
52 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥65.5965 ¥65.60
¥43.1773 ¥431.77
¥36.2278 ¥3,622.78
¥29.2783 ¥14,053.58

类似产品

Infineon Technologies IMZA65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
新产品: 此制造商的新产品。
与当前部分进行比较

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
26 A
111 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
104 W
Enhancement
商标: Infineon Technologies
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
技术: SiC
零件号别名: IMZA65R083M1H SP005423798
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

Product Catalogs

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
奥地利
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
奥地利
发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolSiC™ MOSFET 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET 650V将碳化硅的物理强度与增强器件性能、可靠性和易用性的特性相结合。CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺，应用损耗极低，运行可靠性极高。CoolSiC非常适合在高温和恶劣环境应用中使用。

650V CoolSiC™ M1沟槽式功率MOSFET

英飞凌科技  650V CoolSiC ™ M1沟槽式功率MOSFET结合了碳化硅的优异物理特性和独特功能，从而提高了器件性能、可靠性和易用性。CoolSiC M1 MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺，优化用于实现最低应用损耗和 最高运行可靠性。这些器件适用于高温和恶劣环境，能够简化系统部署，降低成本，并实现最高的系统效率。 

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。