QPD0007 GaN射频晶体管

Qorvo  QPD0007 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT),采用DFN封装。这些Qorvo射频晶体管是单级、不匹配晶体管，能够在+48V工作电压下提供20W P3dB输出功率。QPD0007晶体管的工作频率范围为  DC至5GHz，在3.5GHz时具有73%漏极效率。典型应用包括WCDMA/LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、通用、小型蜂窝、有源天线和5 G大规模MIMO。