NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET采用紧凑型SOT-723封装,内置ESD保护功能。SOT-723封装占位面积比SC-89小44%,厚度比SC-89薄38%。漏极-源极电压 (VDSS) 额定值为-20V,连续漏极电流 (ID) 额定值为-780mA(TA =+25°C时)。安森美 (onsemi) NTK3139P具有低阈值电平,在VGS =1.5V、ID =-100mA条件下,其典型导通电阻RDS(on)为0.95Ω。该安森美 (onsemi) 器件可在低逻辑电平栅极驱动下工作。典型应用包括负载/功率开关、接口(逻辑开关)以及超小型便携式电子设备的电池管理。

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
onsemi MOSFET Single P-Channel Power MOSFET with ESD Protection -20V -780mA 480mohm 27,284库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 40,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 780 mA 2.2 Ohms 6 V 1.2 V - 55 C + 150 C 450 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4 54,198库存量
92,000在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 4,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 780 mA 380 mOhms - 6 V, 6 V 1.2 V - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4 8,651库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 8,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 780 mA 380 mOhms - 6 V, 6 V 1.2 V - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel