NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
安森美 (onsemi) NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET采用紧凑型SOT-723封装,内置ESD保护功能。SOT-723封装占位面积比SC-89小44%,厚度比SC-89薄38%。漏极-源极电压 (VDSS) 额定值为-20V,连续漏极电流 (ID) 额定值为-780mA(TA =+25°C时)。安森美 (onsemi) NTK3139P具有低阈值电平,在VGS =1.5V、ID =-100mA条件下,其典型导通电阻RDS(on)为0.95Ω。该安森美 (onsemi) 器件可在低逻辑电平栅极驱动下工作。典型应用包括负载/功率开关、接口(逻辑开关)以及超小型便携式电子设备的电池管理。
