NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET采用紧凑型SOT-723封装，内置ESD保护功能。SOT-723封装占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。漏极-源极电压 (VDSS) 额定值为-20V，连续漏极电流 (ID) 额定值为-780mA（TA =+25°C时）。安森美 (onsemi) NTK3139P具有低阈值电平，在VGS =1.5V、ID =-100mA条件下，其典型导通电阻RDS(on)为0.95Ω。该安森美 (onsemi) 器件可在低逻辑电平栅极驱动下工作。典型应用包括负载/功率开关、接口（逻辑开关）以及超小型便携式电子设备的电池管理。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
onsemi MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
数据表
856库存量
216,000在途量
剪切带
¥5.4579
¥3.2431
¥2.2713
¥1.5029
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卷轴
¥0.74467
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 4,000
: 4,000
Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 780 mA 380 mOhms 6 V 1.2 V - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PFET SOT723 20V 780MA 0.4
数据表
143库存量
80,000预期 2026/11/17
剪切带
¥5.1302
¥2.2374
¥1.9549
¥1.469
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卷轴
¥1.2204
最低： 1
倍数： 1
最大： 4,000
: 40,000
Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 780 mA 2.2 Ohms 6 V 1.2 V - 55 C + 150 C 450 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
数据表
183库存量
16,000在途量
剪切带
¥2.8137
¥1.2204
¥1.05881
¥0.75258
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卷轴
¥0.43844
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 8,000
: 8,000
Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 780 mA 380 mOhms 6 V 1.2 V - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel