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onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET采用紧凑型SOT-723封装，内置ESD保护功能。SOT-723封装占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。漏极-源极电压 (VDSS) 额定值为-20V，连续漏极电流 (ID) 额定值为-780mA（TA =+25°C时）。安森美 (onsemi) NTK3139P具有低阈值电平，在VGS =1.5V、ID =-100mA条件下，其典型导通电阻RDS(on)为0.95Ω。该安森美 (onsemi) 器件可在低逻辑电平栅极驱动下工作。典型应用包括负载/功率开关、接口（逻辑开关）以及超小型便携式电子设备的电池管理。

特性

  • 低RDS(on) P沟道开关
  • 占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%
  • 低阈值电平，使RDS(on) 在1.5V时达到额定值
  • 可在低逻辑电平栅极驱动下运行
  • 无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS指令

应用

  • 负载/电源开关
  • 接口（逻辑开关）
  • 超小型便携式电子设备的电池管理

规范

  • 漏极-源极电压 (VDSS)：-20V
  • 栅极-源极电压 (VGS)：±6V
  • 连续漏极电流 (ID)：-780mA（TA =+25°C时）/-570mA（TA =+85°C时）/-870mA（t<>A =+25°C时）
  • 耗散功率 (PD)：450mW（TA =+25°C时）/550mW（t<>A =+25°C时）
  • 工作结温/存放温度范围 (TJ /Tstg)：-55°C至+150°C
  • 脉冲漏极电流 (IDM)：-1.2A（tp =10µs时）
  • 焊接引脚耐受温度 (TL)：+260°C
  • 漏极-源极导通电阻 [RDS(on)]
    • VGS =-4.5V、ID =-780mA时为0.38Ω（典型值）
    • VGS =-2.5V、ID =-660mA时为0.52Ω（典型值）
    • VGS =-1.8V、ID =-100mA时为0.70Ω（典型值）
    • VGS =-1.5V、ID =-100mA时为0.95Ω（典型值）

电路图

原理图 - onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
发布日期: 2025-10-01 | 更新日期: 2025-10-14