FGH4L40Tx 1200V/40A场截止型功率IGBT

安森美 (onsemi) FGH4L40Tx 1200V/40A场截止型功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）专为实现高效开关而设计，适用于要求严苛的电力应用。 此系列IGBT具有低导通和开关损耗，适用于电机驱动器、不间断电源（UPS）系统和可再生能源逆变器。凭借强大的短路耐受能力和软开关性能，该系列IGBT在保持热稳定性的同时，能够支持高频操作。FGH4L40Tx IGBT基于安森美 (onsemi)场截止技术而优化，在硬开关和软开关拓扑结构中均能提供可靠性能，助力设计人员满足工业及能源系统对效率和功率密度的严苛要求。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L COPACK
数据表
443库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.49 V 30 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGH4L40T120RWD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V/40A FS7 IGBT NSCR TO247
数据表
428库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole SIngle 1.2 kV 1.65 V 20 V 80 A 384 W - 55 C + 175 C FGH4L40T120SWD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
数据表
384库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.55 V - 20 V, 20 V 80 A 306 W - 55 C + 175 C FGH4L40T120LQD Tube